Что представляет собой электронно дырочный переход?


Что представляет собой электронно дырочный переход?

Электронно-дырочный переход (или n–p-переход) – это область контакта двух полупроводников с разными типами проводимости.

Что такое pn переход и как он образуется?

Полупроводниковым p-n- переходом называют тонкий слой, образующийся в месте контакта двух областей полупроводников акцепторного и донорного типов (см. рис. 4.

Как происходит pn переход?

P-N-переход при обратном включении При обратном включении к р-области подсоединен “-” источника, а к n-области – “+” источника. Направление поля, которое создается источником внешнего напряжения, совпадает с направлением поля p-n–перехода. Поля складываются и потенциальный барьер между p- и n- областями увеличивается.

Почему электронно дырочный переход нельзя получить механическим соединением полупроводников р и n типов?

является так называемый электронно-дырочный р-n-переход. Он получается, если часть кристалла имеет проводимость n-типа, а другая часть — р-типа. ... P-n-переход нельзя получить механическим соединением двух кристаллов с различными типами проводимости.

Что представляет собой запирающий слой?

ЗАПИРАЮЩИЙ СЛОЙ - тонкий слой на границе контакта полупроводника с металлом или на границе раздела областей с различными типами проводимости, обладающий свойствами односторонней проводимости. Запирающий слой обладает рядом ценных свойств, используемых в разнообразных полупроводниковых приборах. ...

Как образуется запирающий слой в?

Как образуется запирающий слой в p-n-переходе? Запирающим слоем называют двойной слой разноименных электрических зарядов, который создает на p-n-переходе электрическое поле, препятствующее свободному разделению зарядов. ... Поэтому в p-n-переходе образуется двойной электрический (запирающий) слой.

Как называется электронно дырочный переход коллектором и базой?

Электронно-дырочный переход, который образован эмиттером транзистора и его базой, называется – «эмиттерным переходом», а переход образованный коллектором и базой соответствующего типа транзистора, называется – «коллекторным переходом».

В чем заключается запирающий режим pn перехода?

Пропускной режим р-n перехода: При запирающем (обратном) направлении внешнего электрического поля электрический ток через область контакта двух полупроводников проходить не будет. Т. к. электроны и дырки перемещаются от границы в противоположные стороны, то запирающий слой утолщается, его сопротивление увеличивается.

Каковы свойства Р n перехода?

Свойства p-n-перехода. Донорная примесь: основные носители заряда - свободные электроны. Остается положительный ион примеси. Акцепторная примесь: основные носители заряда—дырки.

Какой вид пробоя опасен для pn перехода?

Туннельный пробой возникает при малой ширине p-n-перехода (например, при низкоомной базе), когда при большом обратном напряжении электроны проникают за барьер без преодоления самого барьера. В результате туннельного пробоя ток через переход резко возрастает и обратная ветвь ВАХ идет перпендикулярно оси напряжений вниз.

Какое включение pn перехода называется обратным?

Прямое включение p-n перехода образуется когда положительный полюс источника питания подключается к р-области полупроводника, а отрицательный полюс — к n-области. При обратной полярности источника питания включение p-n перехода называют обратным.

Что такое pn переход и его основное свойство?

1)p-n-переход, или электронно-дырочный переход — область соприкосновения двух полупроводников p- и n-типа, в которой происходит переход от одного типа проводимости к другому.

Как влияет температура на различные участки вах?

При увеличении температуры уменьшается контактная разность потенциалов, энергия основных носителей заряда возрастает, соответственно растет диффузионная составляющая тока и прямой ток увеличивается (рис. 3). Иначе говоря, при большей температуре p-n-перехода тот же прямой ток достигается при меньшем смещении.

Для чего используется pn переход?

Следовательно, p-n-переход при освещении является генератором электрического тока. Это свойство используют для изготовления солнечных батарей, являющихся источниками питания различных установок, например, на космических кораблях, в калькуляторах и т.

Что происходит в pn переходе при приложении к нему прямого и обратного напряжений?

При включении \(p\)-\(n\)-перехода в обратном направлении внешнее обратное напряжение создает электрическое поле, совпадающее по направлению с диффузионным, что приводит к росту потенциального барьера и увеличению ширины запирающего слоя. Все это уменьшает диффузионные токи основных носителей.

Что такое прямое и обратное включение диода?

Прямое и обратное напряжение диода. Напряжение, при котором диод открывается и через него идет прямой ток называют прямым (Uпр), а напряжение обратной полярности, при котором диод закрывается и через него идет обратный ток называют обратным (Uобр).

Что такое потенциальный барьер pn перехода?

Вблизи перехода электроны материала N-типа диффундируют через переход, соединяясь с дырками в материале P-типа. Область материала P-типа вблизи перехода приобретает отрицательный заряд из-за привлеченных электронов. ... Такое разделение зарядов в P-N-переходе представляет собой потенциальный барьер.

Что такое барьерная емкость pn перехода?

Барьерная (или зарядная) емкость обусловлена нескомпенсированным зарядом ионизированных атомов примеси, сосредоточенными по обе стороны от границы перехода. Эти объемные заряды неподвижны и не участвуют в процессе протекания тока. Они и создают электрическое поле перехода.

Какую емкость pn перехода называют барьерной?

Барьерная (или зарядовая) ёмкость связана с изменением потенциального барьера в переходе и возникает при обратном смещении. Она эквивалентна ёмкости плоского конденсатора, в котором слоем диэлектрика служит запирающий слой, а обкладками — p и n-области перехода.

Что такое электрический пробой pn перехода?

При значительном увеличении обратного напряжения на p-n переход, генерация неосновных носителей может резко вырасти и в результате настанет пробой перехода. Пробой - это скачкообразное изменение тока, при неизменном напряжении. В зависимости от причин его вызвавших различают лавинный, туннельный и тепловой пробои.

Что такое ток дрейфа?

Дрейфовый ток — это направленное движение носителей в полупроводнике под воздействием электрического поля. Так как дрейфовый ток вызывается напряжением, подводимым к полупроводнику, то он часто называется током проводимости. Дрейфовый ток обеспечивается как электронами, так и дырками.

Что такое диффузионный ток?

Направленное движение носителей заряда из слоя с более высокой их концентрацией в слой, где концентрация ниже, называют диффузией, а ток, вызванный этим явлением, – диффузионным током. Этот ток, как и дрейфовый, может быть электронным или дырочным.

Чем обусловлен диффузионный ток?

Ток диффузии обусловлен движением основных носителей, а ток дрейфа – неосновных. Полный ток через P-N-переход равен сумме диффузионного и дрейфового токов. P-N –переход, включенный в прямом направлении пропускает электрический ток, а включенный в обратном направлении – не пропускает.

Что такое область пространственного заряда?

Нескомпенсированные электрические заряды создают вокруг себя электрическое поле. Поэтому области пространственного заряда являются одновременно областями неоднородного электрического поля. Такая ситуация в корне отличается от случая протекания электрического тока в однородных проводниках или полупроводниках.

Что такое диффузия носителей в полупроводнике?

- их подвижности. Прежде всего, перенос заряда при диффузии носителей заряда в полупроводниках приводит к возникновению объёмного заряда и электрического поля, которое необходимо учитывать в выражениях для плотности тока. ...

Что такое дрейф носителей в полупроводнике?

Дрейфом называют направленное движение носителей заряда под действием электрического поля. Если к полупроводниковому кристаллу приложить слабое электрическое поле , то в течение промежутка времени между столкновениями скорости электронов будут увеличиваться вдоль направления поля (рис.

Какой пробой pn перехода является необратимым?

Тепловой пробой — это необратимый вид пробоя p-n-перехода, являющийся следствием увеличения обратного напряжения. При электрическом пробое ток возрастает и, достигая определенного значения, может начать необратимый процесс разрушения p-n-перехода.

Что такое туннельный пробой?

Эффе́кт Зе́нера, тунне́льный пробо́й — явление резкого нарастания тока через обратносмещённый p-n переход, вызванный туннельным эффектом, то есть квантовомеханическим «просачиванием» электронов сквозь узкий потенциальный барьер. При обратном смещении возникает перекрытие энергетических зон (см.

Стоит почитать

Похожие вопросы